Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9.6 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, Si7121DN系列

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制造商零件编号:
SI7121DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9.6A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si7121DN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

26mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

27.8W

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-50°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

33nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

3.15 mm

高度

1.07mm

长度

3.15mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor