Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 10 A, 微型支脚封装, 表面贴装, 4引脚

品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

8 V

封装类型

微型支脚

安装类型

贴片

引脚数目

4

最大漏源电阻值

45 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.35V

最大功率耗散

2.7 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-5 V、+5 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

25 nC @ 4.5

长度

1.6mm

宽度

1.6mm

最低工作温度

-55 °C

高度

0.31mm