Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=11.3 A, 6针, SC-70, ThunderFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
818-1441P
制造商零件编号:
SIA416DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11.3A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

ThunderFET

包装类型

SC-70

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.5nC

正向电压 Vf

0.85V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

19W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

2.15mm

高度

0.75mm

宽度

2.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET®,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


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