Vishay P型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 4.7 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI9407BDY-T1-GE3, Si9407BDY系列

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制造商零件编号:
SI9407BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

TrenchFET 功率 MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

4.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOIC

系列

Si9407BDY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.12Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8nC

最大功耗 Pd

5W

正向电压 Vf

-0.8V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

4 mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

高度

1.55mm

长度

5mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor