Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SUD50N04-8M8P-4GE3
- RS 库存编号:
- 818-7470
- 制造商零件编号:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥100.02
(不含税)
¥113.02
(含税)
暂时缺货
- 3,280 件在 2026年1月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB5.001 | RMB100.02 |
| 100 - 480 | RMB4.914 | RMB98.28 |
| 500 - 1480 | RMB4.791 | RMB95.82 |
| 1500 - 2480 | RMB4.671 | RMB93.42 |
| 2500 + | RMB4.554 | RMB91.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 818-7470
- 制造商零件编号:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0088Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.81V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大功耗 Pd | 48.1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0088Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.81V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最大功耗 Pd 48.1W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.38mm | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
汽车标准 否 | ||