Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
818-7470P
制造商零件编号:
SUD50N04-8M8P-4GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.0088Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

0.81V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最大功耗 Pd

48.1W

最高工作温度

150°C

高度

2.38mm

宽度

6.22 mm

长度

6.73mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

汽车标准

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor