Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=2.2 A, 3针, SOT-23, SQ Rugged系列

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包装方式:
RS 库存编号:
819-3908P
制造商零件编号:
SQ2301ES-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.2A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

SQ Rugged

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

3W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5nC

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

最高工作温度

175°C

宽度

1.4mm

标准/认证

No

长度

3.04mm

高度

1.02mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


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