Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 6.2 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SQ4431EY-T1_GE3, SQ Rugged系列

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819-3920P
制造商零件编号:
SQ4431EY-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

SQ Rugged

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

52mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

6W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

-1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

1.55mm

宽度

4 mm

长度

5mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor