Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, SQ Rugged系列

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包装方式：
RS 库存编号:
819-3939
制造商零件编号:
SQD100N04-3M6L-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

100 A

最大漏源电压

40 V

系列

SQ Rugged

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

7 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

1.5V

最大功率耗散

136 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

85 nC @ 10 V

长度

6.73mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

6.22mm

高度

2.38mm

最低工作温度

-55 °C

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor


来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点


• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor