Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 195 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP7530PBF, StrongIRFET系列

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RS 库存编号:
820-8855
制造商零件编号:
IRFP7530PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

195A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-247

系列

StrongIRFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

274nC

最大功耗 Pd

341W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

15.87mm

高度

20.7mm

宽度

5.31 mm

汽车标准

否

英飞凌 StrongIRFET 系列 MOSFET，195A 最大连续漏极电流，341W 最大功率耗散 - IRFP7530PBF


这款 MOSFET 适用于高性能电源管理应用，具有支持各种电子系统的特性。它能促进有效的能量传输，最大限度地减少功率损耗，是自动化和电机控制领域先进电路的重要组成部分。

特点和优势


• 195A 的持续漏极电流提高了运行效率

• 最大漏极-源极电压为 60V，可满足各种应用需求

• 2mΩ 的低导通电阻降低了功率耗散

• 可承受 -55°C 至 +175°C 的极端温度

• 栅极阈值电压为 2.1V 至 3.7V，优化了开关性能

• 高雪崩和动态 dV/dt 强度增强了可靠性

应用


• 适用于有刷电机驱动

• 用于电池供电电路，提高效率

• 适用于半桥和全桥配置，可灵活设计电路

• 在同步整流器中有效 提高效率

• 用于电力电子设备中的直流/直流和交流/直流转换器

在大电流应用中使用它有什么好处？


在大电流条件下使用这种 MOSFET，可实现有效的电源管理，同时由于其导通电阻低，可最大限度地减少发热，从而确保在严格的操作中保持稳定的性能。

温度对性能有何影响？


温度影响运行极限，175°C 的最高结温可确保在恶劣条件下正常工作。其耐热性能有助于在高温环境中保持可靠性。

能否集成到现有电路中？


此外，其标准的 TO-247 封装设计便于集成到新的和现有的电路布局中，因此适合在各种应用中进行替换或升级。

有效散热应考虑哪些因素？


由于最大功率耗散为 341W，要保持最佳性能，必须确保有适当的冷却机制。使用散热片或风扇有助于有效管理温度。

是否适合用于汽车应用？


是的，其坚固的规格符合汽车应用的要求，是高温和高功率环境下的理想选择。