Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 195 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, StrongIRFET系列
- RS 库存编号:
- 820-8873P
- 制造商零件编号:
- IRFS7534TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 186nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 294W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 195A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 StrongIRFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 186nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 294W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
英飞凌 StrongIRFET 系列 MOSFET，195A 最大连续漏极电流，294W 最大功率耗散 - IRFS7534TRLPBF
这款 MOSFET 专为一系列电子应用中的高效电源管理而设计。它能够处理高达 195A 的连续漏极电流，漏极-源极额定电压为 60V，可为各种任务提供高效性能。其表面贴装配置功能可为自动化和电子领域的专业人士提高电路效率和可靠性。
特点和优势
• 大电流容量可支持要求苛刻的负载
• 2.4mΩ 的低 Rds(on) 提高了能效
• 设计用于高达 +175°C 的高温操作
• 坚固耐用的雪崩和动态 dV/dt，确保可靠运行
• 完全特性化的电容有助于实现精确的开关性能
应用
• 适用于有刷和无刷直流电机驱动电路
• 适用于电池供电 和电源转换器
• 适用于各种设计的半桥和全桥拓扑结构
• 适用于 DC/AC 逆变器和谐振模式电源
• 关键系统冗余电源开关的理想选择
该组件如何处理热管理？
它能在最高温度达 +175°C 的高温条件下高效运行。
Rds(on) 值偏低有什么影响？
低导通电阻最大限度地减少了传导损耗，从而提高了配电效率。
能否用于负载条件可变的应用场合？
是的，它的大电流容量和坚固特性使其能够有效管理波动的负载条件。
建议采用哪种安装方式以获得最佳性能？
建议采用表面贴装技术，以实现高效散热和紧凑集成。
它在脉冲条件下的性能如何？
它能够安全地处理高达 944A 的脉冲漏极电流，可灵活应对瞬态情况而不会出现故障。