DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=1.38 A, 6针, SOT-563

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包装方式：
RS 库存编号:
822-2510
制造商零件编号:
DMG1024UV-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.38A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-563

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-6V, +6V

正向电压 Vf

0.7V

最大功耗 Pd

530mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

736.6nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

高度

0.6mm

长度

1.7mm

标准/认证

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

宽度

1.25mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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