DiodesZetex N型, P型沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=3.4 A, 6针, TSOT

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包装方式：
RS 库存编号:
822-2532
制造商零件编号:
DMG6602SVT-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N型, P型

最大连续漏极电流 Id

3.4A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSOT

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

140mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.27W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4nC

正向电压 Vf

0.8V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

宽度

1.6mm

长度

2.9mm

标准/认证

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

高度

0.9mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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