DiodesZetex N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=580 mA, 6针, SM

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包装方式：
RS 库存编号:
823-2943
制造商零件编号:
DMN601DMK-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

580mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SM

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

4Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

304nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

980mW

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

0.8V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

+150°C

高度

1.3mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

标准/认证

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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