DiodesZetex N沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=580 mA, 6针, SM
- RS 库存编号:
- 823-2943P
- 制造商零件编号:
- DMN601DMK-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 760 件 (以卷装提供)*
RMB2,130.28
(不含税)
RMB2,406.92
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年4月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 760 - 1480 | RMB2.803 |
| 1500 + | RMB2.719 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-2943P
- 制造商零件编号:
- DMN601DMK-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 580mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 304nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 980mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 标准/认证 | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 580mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 304nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 980mW | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
高度 1.3mm | ||
长度 3.1mm | ||
标准/认证 J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||