DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=8 A, 8针, SOIC, DMN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
823-3233
制造商零件编号:
DMN4800LSSL-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

DMN

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.94V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.7nC

最大功耗 Pd

1.46W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

标准/认证

No

高度

1.5mm

汽车标准

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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