Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=1.6 A, 3针, SOT-23, OptiMOS P系列

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RS 库存编号:
823-5500
Distrelec 货号:
304-44-428
制造商零件编号:
BSS308PEH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

1.6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

系列

OptiMOS P

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

500mW

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

-0.8V

最高工作温度

150°C

长度

2.9mm

标准/认证

No

宽度

1.3mm

高度

1mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS P系列MOSFET，最大漏源电压30V，最大漏源电阻 130mΩ - BSS308PEH6327XTSA1


该MOSFET是一款P沟道增强型器件，专为紧凑型电子组装过程中的表面贴装开关和控制而设计。它可在较宽温度范围内运行，适用于严苛环境，且专为需要低压、中等电流开关的场合而设计。该器件采用 SOT-23 封装，与汽车级应用兼容。

特性和优点：


• 低导通电阻130mΩ，可降低导通损耗
• 低压系统的漏极-源极额定耐受电压为 30V
• 连续漏极电流 1.6A，支持中等负载
• 典型栅极电荷为 5 nC，可实现更快的栅极切换
• 最大栅源电压为 20V，提供稳健的驱动裕量
• 500mW功耗容量，有助于热管理

应用


• 适用于 12V 汽车系统的负载断开
• 适用于电池保护和电源路径控制
• 与DCDC转换器输入级开关配合使用
• 可用于模块的信号级电源切换
• 适用于紧凑型表面贴装电源板

它在运行期间能承受怎样的极端温度？


其规定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，允许在热变化剧烈的环境中使用。

它采用什么封装和安装方式？


它采用SOT-23封装，专为在PCB组件上进行表面贴装而设计。

该器件在栅极驱动设计方面的表现如何？


其最大VGS额定值为20V，典型栅极电荷为5nC，因此需要适中的驱动能力和快速栅极驱动器才能实现快速开关。

该器件是否符合汽车级认证要求？


它符合AEC‑Q101标准，适用于多种汽车电子设计。

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