Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=1.6 A, 3针, SOT-23, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 823-5500P
- 制造商零件编号:
- BSS308PEH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 823-5500P
- 制造商零件编号:
- BSS308PEH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 130mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5nC | |
| 正向电压 Vf | -0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 OptiMOS P | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 130mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5nC | ||
正向电压 Vf -0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.3mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
长度 2.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P系列MOSFET，最大漏源电压30V，最大漏源电阻 130mΩ - BSS308PEH6327XTSA1
该MOSFET是一款P沟道增强型器件，专为紧凑型电子组装过程中的表面贴装开关和控制而设计。它可在较宽温度范围内运行，适用于严苛环境，且专为需要低压、中等电流开关的场合而设计。该器件采用 SOT-23 封装，与汽车级应用兼容。
特性和优点：
• 低导通电阻130mΩ，可降低导通损耗
• 低压系统的漏极-源极额定耐受电压为 30V
• 连续漏极电流 1.6A，支持中等负载
• 典型栅极电荷为 5 nC，可实现更快的栅极切换
• 最大栅源电压为 20V，提供稳健的驱动裕量
• 500mW功耗容量，有助于热管理
• 低压系统的漏极-源极额定耐受电压为 30V
• 连续漏极电流 1.6A，支持中等负载
• 典型栅极电荷为 5 nC，可实现更快的栅极切换
• 最大栅源电压为 20V，提供稳健的驱动裕量
• 500mW功耗容量，有助于热管理
应用
• 适用于 12V 汽车系统的负载断开
• 适用于电池保护和电源路径控制
• 与DCDC转换器输入级开关配合使用
• 可用于模块的信号级电源切换
• 适用于紧凑型表面贴装电源板
• 适用于电池保护和电源路径控制
• 与DCDC转换器输入级开关配合使用
• 可用于模块的信号级电源切换
• 适用于紧凑型表面贴装电源板
它在运行期间能承受怎样的极端温度？
其规定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，允许在热变化剧烈的环境中使用。
它采用什么封装和安装方式？
它采用SOT-23封装，专为在PCB组件上进行表面贴装而设计。
该器件在栅极驱动设计方面的表现如何？
其最大VGS额定值为20V，典型栅极电荷为5nC，因此需要适中的驱动能力和快速栅极驱动器才能实现快速开关。
该器件是否符合汽车级认证要求？
它符合AEC‑Q101标准，适用于多种汽车电子设计。