Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=8 A, 3针, TO-220FP, CoolMOS C3系列
- RS 库存编号:
- 823-5645P
- 制造商零件编号:
- SPA08N80C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 823-5645P
- 制造商零件编号:
- SPA08N80C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | CoolMOS C3 | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30V, +30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.85mm | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 CoolMOS C3 | ||
包装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最大栅源电压 Vgs -30V, +30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.85mm | ||
高度 16.15mm | ||
长度 10.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolMOS™ C3 系列 MOSFET，8A 最大连续漏极电流，40W 最大功率耗散 - SPA08N80C3XKSA1
这款功率晶体管专为高压应用而设计，注重效率和热管理。它是当代工业应用的重要组成部分。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 8A
• 可承受高达 800V 的漏极-源极电压
• 低导通电阻可提高效率
• 超低栅极电荷有助于加快运行速度
• 在很宽的温度范围内性能稳定
• 完全隔离包装，提高安全性
应用
• 用于需要高直流散装电压的工业设备中
• 适用于有源钳位正向开关
• 适用于电力转换系统
• 用于自动化流程和电气控制系统
该产品可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效运行，在各种环境下都能保持稳定。
充分散热至关重要; 测得的结壳热阻为 3.8 K/W。
是的，它的额定值为重复雪崩条件，产品规格中列出了特定的能量限制。
超低的有效电容提高了开关性能，并将转换过程中的能量损耗降至最低。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。