Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.1 A, PICOSTAR, 表面安装, 3引脚, FemtoFET系列

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RS 库存编号:
823-9240
制造商零件编号:
CSD17381F4T
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.1A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PICOSTAR

系列

FemtoFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.73V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.04nC

最大栅源电压 Vgs

12 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

0.64 mm

长度

1.04mm

高度

0.35mm

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


MOSFET 晶体管,Texas Instruments