Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.1 A, PICOSTAR, 贴片安装, 3引脚, FemtoFET系列

品牌

Texas Instruments

通道类型

N

最大连续漏极电流

3.1 A

最大漏源电压

30 V

系列

FemtoFET

封装类型

PICOSTAR

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

250 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.1V

最小栅阈值电压

0.65V

最大功率耗散

500 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-12 V、+12 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

长度

1.04mm

宽度

0.64mm

典型栅极电荷@Vgs

1.04 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

高度

0.35mm