制造商编号

Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=3.1 A, 3针, PICOSTAR, FemtoFET系列

RS 库存编号:: 823-9240
制造商零件编号:: CSD17381F4T
制造商:: Texas Instruments

Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=3.1 A, 3针, PICOSTAR, FemtoFET系列

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RS 库存编号:: 823-9240
制造商零件编号:: CSD17381F4T
制造商:: Texas Instruments

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Texas Instruments
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	3.1A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	PICOSTAR
	系列	FemtoFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	250mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1.04nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0.73V
	最大功耗 Pd	500mW
	最高工作温度	150°C
	宽度	0.64mm
	长度	1.04mm
	标准/认证	No
	高度	0.35mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Texas Instruments
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 3.1A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 PICOSTAR
	系列 FemtoFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 250mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.04nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0.73V
	最大功耗 Pd 500mW
	最高工作温度 150°C
	宽度 0.64mm
	长度 1.04mm
	标准/认证 No
	高度 0.35mm
	汽车标准否

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