Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 110 A, VSON, 表面安装, 8引脚, CSD19531Q5AT, NexFET系列
- RS 库存编号:
- 823-9259
- 制造商零件编号:
- CSD19531Q5AT
- 制造商:
- Texas Instruments
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥78.63
(不含税)
¥88.85
(含税)
有库存
- 1,140 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 60 | RMB15.726 | RMB78.63 |
| 65 - 120 | RMB15.258 | RMB76.29 |
| 125 + | RMB14.80 | RMB74.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 823-9259
- 制造商零件编号:
- CSD19531Q5AT
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | NexFET | |
| 包装类型 | VSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 NexFET | ||
包装类型 VSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5 mm | ||
长度 6.1mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||