Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=70 A, 3针, TO-252, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 825-9051P
- 制造商零件编号:
- IPD042P03L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPD042P03L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 131nC | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.97mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 131nC | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.97mm | ||
高度 2.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V最大漏源电压，70A最大连续漏极电流 - IPD042P03L3GATMA1
该MOSFET是一款P沟道增强型功率晶体管，专为需要大电流处理能力和宽工作温度范围的表面贴装应用而设计。它作为高性能开关器件用于电源转换和负载控制电路，为要求严苛的电子系统提供低导通损耗和受控栅极驱动特性。
特性和优点：
• 6.8 mΩ导通电阻可最大程度减少导通损耗，从而提高效率
• 70A 持续漏极电流，支持重载开关
• 150W功耗支持持续散热处理
• 131nC 典型栅极电荷，有助于实现可预测的开关特性
• 工作温度范围为-55°C 至 175°C，允许在高温环境中部署
• VGS 额定值为±20V ，确保栅极驱动电压的灵活性
• 70A 持续漏极电流，支持重载开关
• 150W功耗支持持续散热处理
• 131nC 典型栅极电荷，有助于实现可预测的开关特性
• 工作温度范围为-55°C 至 175°C，允许在高温环境中部署
• VGS 额定值为±20V ，确保栅极驱动电压的灵活性
应用
• 适用于DCDC转换器的同步整流
• 适用于电源的高电流负载切换
• 与需要低导电电阻的电机驱动器配合使用
• 可用于电池管理和保护电路
• 适用于高密度表面贴装电源模块
• 适用于电源的高电流负载切换
• 与需要低导电电阻的电机驱动器配合使用
• 可用于电池管理和保护电路
• 适用于高密度表面贴装电源模块
在考虑PCB布局时，我应该预期哪种封装类型？
该器件采用TO-252表面贴装封装，具有三个引脚，可实现紧凑的电路板布局并支持散热焊盘布线。
该器件在工作期间如何处理栅极驱动电压？
最大栅源电压为±20V，因此，栅极驱动器的规格应限定在此范围内，以避免过压应力。
这款晶体管能承受的最大电压是多少？
它的额定最大漏源电压为30V，适用于低压电源系统。
导通期间的正向电压是否有任何限制？
典型正向电压为-1.1V，这会影响电路设计的导通损耗计算。