Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=550 V, 13 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, CoolMOS CE系列

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
包装方式：
RS 库存编号:
825-9140
制造商零件编号:
IPD50R280CEBTMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

550 V

系列

CoolMOS CE

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

660 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

92 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

32.6 nC @ 10 V

长度

6.73mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

6.22mm

最低工作温度

-55 °C

高度

2.41mm