ROHM N沟道增强型MOSFET管, Vds=1200 V, 14 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 826-6902
- 制造商零件编号:
- SCT2280KEC
- 制造商:
- ROHM
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 14 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 388 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大功率耗散 | 108 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 20.95mm | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 18 V | |
| 高度 | 5.03mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 14 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 388 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大功率耗散 108 W | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 20.95mm | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 15.9mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 18 V | ||
高度 5.03mm | ||
N 通道 SiC MOSFET 晶体管，ROHM
碳化硅 (SiC) MOSFET 相比硅同类产品，具有较低开关损耗和超高温度操作特性，适用于高效高频率开关应用。
MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor