ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=4 A, 3针, TSMT, RUR040N02系列
- RS 库存编号:
- 826-7813
- 制造商零件编号:
- RUR040N02TL
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 826-7813
- 制造商零件编号:
- RUR040N02TL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TSMT | |
| 系列 | RUR040N02 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TSMT | ||
系列 RUR040N02 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 1.6mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM
MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
相关链接
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2 A, TSMT, 表面安装, 3引脚, RUR020N02TL, RUR020N02系列
- ROHM N沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RUR040N02HZGTL, RUR040N02HZG系列
- ROHM N沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RUR040N02HZG系列
- ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, TSMT, 表面安装, 3引脚, RQ5E040RPTL, RRR040P03系列
- ROHM N沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.5 A, SOT-323, 表面安装, 3引脚, RUF025N02TL, RUF025N02系列
- ROHM , 1 N沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.5 A, SOT-323, 表面安装, 3引脚, RUF025N02系列, RUF025N02TL
- ROHM , 1 P型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=20 V, TSMT-3, 表面安装, 3引脚, RTU002P02T106
- ROHM N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 10.3 A, TSMT-8, 表面安装, RQ7G080BG系列