ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, TSMT, 表面安装, 3引脚, RUR040N02TL, RUR040N02系列

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制造商零件编号:
RUR040N02TL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

RUR040N02

包装类型

TSMT

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±10 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

2.9mm

高度

0.8mm

宽度

1.6 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
TH

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM


MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor