ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4 A, TSMT-3, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 826-7813
- 制造商零件编号:
- RUR040N02TL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB4.136 | RMB82.72 |
| 40 - 80 | RMB4.013 | RMB80.26 |
| 100 - 180 | RMB3.889 | RMB77.78 |
| 200 - 380 | RMB3.806 | RMB76.12 |
| 400 + | RMB3.723 | RMB74.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-7813
- 制造商零件编号:
- RUR040N02TL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | TSMT-3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 TSMT-3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 110 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大功率耗散 1 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2.9mm | ||
宽度 1.6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 4.5 V | ||
高度 0.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM
MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor