ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 2.5 A, TSMT, 贴片安装, 3引脚

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RS 库存编号:
826-7835
制造商零件编号:
RZR025P01TL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.5 A

最大漏源电压

12 V

封装类型

TSMT

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

220 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1V

最大功率耗散

1 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-10 V、+10 V

宽度

1.6mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

13 nC @ 4.5 V

长度

2.9mm

高度

0.85mm

COO (Country of Origin):
TH

P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM



MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor