Infineon , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 4.9 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列, IRF7303TRPBF

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826-8841
制造商零件编号:
IRF7303TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.9A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

80mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.7nC

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

宽度

4 mm

高度

1.5mm

长度

5mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，4.9A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRF7303TRPBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。它的最大连续漏极电流为 4.9A，漏极-源极电压为 30V，可在不同环境下提供高性能。其表面贴装能力使其适用于空间效率和散热性能要求较高的紧凑型电路设计。该设备展示了自动化和电子技术的可靠性和有效性。

特点和优势


• 效率更高，Rds（on）低至 80 mΩ

• 功率耗散能力强，最大功率为 2W

• 双通道集成，提高设计功能

• 高达 +150°C 的稳定热运行，适用于多种应用场合

• 优化增强模式运行，改善能源管理

• 紧凑型 SOIC 封装便于集成到现代印刷电路板中

应用


• 在电源电路中用于调节电压

• 应用于电机控制系统，实现高效运行

• 适用于照明 需要强大的交换功能

• 集成到消费电子产品中，提高能效

• 适用于要求性能可靠的汽车系统

该器件的最大栅源电压是多少？


最大栅极源极电压为 ±20V，确保与各种控制电路兼容。

Rds(on) 值对效率有何影响？


较低的 Rds（on）可减少运行过程中的功率损耗，提高应用的整体效率。

它能在极端温度下工作吗？


是的，它的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于恶劣环境。

它与什么类型的电路板兼容？


它专为表面贴装技术（SMT）电路板而设计，可有效利用空间。

如何安装该组件？


应注意使用适当的焊接技术，以避免热损伤，并确保与 PCB 板牢固贴合。