Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 6.2 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 826-8844P
- 制造商零件编号:
- IRF7241TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.2A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，6.2A 最大连续漏极电流，2.5W 最大功率耗散 - IRF7241TRPBF
这种 MOSFET 专为电子电路中的高效电源管理而设计。它采用 P 沟道配置，漏极连续电流能力为 6.2A，适用于各种应用。在增强模式下运行可进一步提高其对不同电子设备的适应性，使其成为自动化和电气系统中的重要组件。
特点和优势
• 支持 40V 的最大漏极-源极电压，性能强劲
• 70mΩ 的低导通电阻提高了效率并最大限度地减少了发热量
• 最高工作温度可达 +150°C
• 宽泛的栅极电压范围可实现灵活的设计集成
• 单晶体管配置简化了电路布局并节省了空间
• 10V 电压下的典型栅极电荷为 53nC，可实现快速切换
应用
• 用于自动化电源管理系统
• 适用于驱动消费电子产品中的负载
• 用于功率转换和调节电路
• 融入各种电气行业
• 与电机控制和工业自动化系统集成
RDS(on) 测量值偏低有何意义？
低 RDS（on）测量值表明运行期间的功率损耗较低，从而提高了效率并减少了发热量。
最大栅极源极电压对性能有何影响？
最大栅极-源极电压范围可与不同的驱动电路实现更广泛的兼容性，确保在各种工作条件下都能实现可靠的开关。
安装时应采取哪些预防措施？
确保适当的热管理，并验证工作条件是否符合规定的最大额定值，尤其是电压和温度。
增强模式行为如何影响电路设计？
增强模式工作意味着晶体管在栅极电压为零时关闭，从而降低了待机时的功耗，并提高了整体电路的可靠性。