Infineon , 2 P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 3.4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 826-8901P
- 制造商零件编号:
- IRF7342TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 826-8901P
- 制造商零件编号:
- IRF7342TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 170mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.4A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 170mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，3.4A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRF7342TRPBF
这种功率 MOSFET 可用于各种电子设备的高效电源管理。它采用 P 沟道配置，适用于高性能开关和放大操作。其坚固耐用的规格符合自动化和电气领域工程师和设计师的基本要求。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 3.4A
• 漏源电压容差高达 55V
• 表面贴装设计便于直接安装
• 低最大漏极-源极电阻可提高能效
• 栅极阈值电压为 1 V，开关性能可靠
应用
• 提高能源利用率的电源管理电路
• 需要强大开关功能的自动化设备
• 适用于电机控制系统
• 用于电子产品的电源转换器
• 常见于电池管理系统
运行的热极限是多少？
它能在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效工作，确保在各种环境下的可靠性。
该元件如何提高电路效率？
较低的 Rds（on）值可降低运行期间的功率损耗，从而提高整体电路效率。
这种 MOSFET 能否处理脉冲电流？
是的，它可以承受高达 27A 的脉冲漏极电流，适合瞬态条件。
有哪些包装类型？
它采用 SO-8 表面贴装封装，优化了布局灵活性和制造工艺。
是否有特定的栅极电压才能达到最佳性能？
栅极到源极的电压最好保持在 ±20V 的范围内，这样器件的性能和寿命才能达到最佳。