Infineon , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 3.6 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 826-8904P
- 制造商零件编号:
- IRF7380TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 73mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.6A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 73mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，3.6A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRF7380TRPBF
这款 MOSFET 专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。它具有较高的额定电压和 3.6A 的连续漏极电流，适用于高频直流-直流转换器，确保性能可靠。其先进的设计为自动化、电子和机械行业的专业人员提供了实用的解决方案，使他们能够为电路寻找多功能元件。
特点和优势
• 行业标准的 SO-8 封装确保了不同供应商之间的兼容性
• 73mΩ 的低 Rds(on) 值优化了电源应用的效率
• 增强模式运行可提高性能特征
• 15nC 的低栅极电荷使开关速度更快
• 最大漏极-源极电压为 80V，可满足高功率需求
• 符合 RoHS 规范，不含卤素，促进环境安全
应用
• 用于高频直流-直流转换器的功率调节
• 适用于要求低功率损耗的电池管理系统
• 适用于需要高效开关性能的电机控制器
• 用于供电设备，提高整体效率
• 适用于驱动继电器和螺线管等电感负载
最大持续漏极电流有什么影响？
3.6A 的最大连续漏极电流表明，它有能力在电源电路等应用中管理更大的电流，确保稳定运行而不会过热。
低 Rds(on) 对性能有什么影响？
73mΩ 的低 Rds(on)降低了运行过程中的功率损耗，提高了整体系统效率，尤其适用于高频开关应用。
其温度等级有何意义？
工作温度范围在 -55°C 至 +150°C 之间，确保元件能够承受恶劣的环境条件，适合工业应用。
这种元件可以直接安装在印刷电路板上吗？
是的，其表面贴装设计可轻松集成到 PCB 布局中，提高制造工艺的效率，并确保在紧凑型设计中节省空间。
栅极阈值电压对其工作有何影响？
它的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，设计灵活，可兼容各种控制信号，同时确保器件的有效激活。