Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=60 V, 80 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB80N06S4L05ATMA2, OptiMOS -T2系列
- RS 库存编号:
- 826-8998
- 制造商零件编号:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8998
- 制造商零件编号:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS -T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最大功耗 Pd | 107W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 83nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 9.25 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS -T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最大功耗 Pd 107W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10mm | ||
高度 4.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 9.25 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。