Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=17 A, 3针, TO-263, OptiMOS-T系列

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包装方式：
RS 库存编号:
826-9002P
制造商零件编号:
IPB17N25S3100ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

17A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS-T

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

107W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

175°C

高度

4.4mm

长度

10mm

宽度

9.25mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

不适用

Infineon OptiMOS-T系列MOSFET，最大漏源电压250V，最大连续漏极电流17A - IPB17N25S3100ATMA1


该MOSFET是一款表面‑贴装N‑沟道增强型器件，专为汽车和工业电源系统中的高‑压开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要强大耐热性和受控开关性能的应用，但未详细说明其机械封装或引脚数量。

特性和优点：


• 250V漏极额定值，可实现高‑压开关能力
• 17A连续漏极电流，支持大负载电流
• 最大 100mΩ 的导通电阻，可降低功率级应用的导通损耗
• 典型栅极电荷为14nC，可实现高效开关控制
• 0.9V 正向电压可降低二极管导通压降
• 107W 最大功耗，支持高‑功率操作

应用


• 适用于车载高‑压 DCDC转换器
• 适用于汽车电子领域的电机‑驱动半‑桥
• 可与工业电源的电源‑管理模块配合使用
• 可用于开关‑模式电源主开关

在开关性能方面，我应该考虑哪些栅‑极驱动因素？


使用能够在目标开关间隔内提供栅极电荷的驱动器

典型14nC电荷可让您根据所选驱动电压估算峰值栅极电流和开关损耗。

热环境对持续电流能力有何影响？


该器件的额定功耗为 107W，因此在承载规定的 17A 持续电流时，需要进行充分的 PCB 热设计和散‑热处理，以维持安全的结温。

该器件的栅极适用于哪些保护限值？


确保栅极电压保持在±20V以内，以避免栅氧化层承受过压应力；如果暴露在电感开关尖峰下，请考虑瞬态抑制。

该器件对冷启动和高‑温运行的耐受性如何？


其设计工作温度范围涵盖从低温汽车环境到高温工况，有助于在环境温度大幅波动的系统中使用。

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