Infineon P型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB120P04P4L03ATMA1, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 826-9092
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥130.90
(不含税)
¥147.90
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 3,790 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | RMB13.09 | RMB130.90 |
| 250 - 490 | RMB12.697 | RMB126.97 |
| 500 + | RMB12.317 | RMB123.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9092
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 180nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 长度 | 10mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 9.25 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 OptiMOS P | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.4mm | ||
长度 10mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 9.25 mm | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
不适用
Infineon OptiMOS™P P通道功率MOSFET
Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能，以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗，通态电阻，雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC，电机控制，汽车和eMobility。
增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。