Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 50 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 826-9109P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P413ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 826-9109P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P413ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 12.6 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 58 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，39 常闭 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 12.6 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 58 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭 | ||
长度 6.5mm | ||
高度 2.3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不适用
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增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
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