Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=1.17 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 250 件 (以卷装提供)*

RMB771.25

(不含税)

RMB871.50

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 9,650 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
250 - 450RMB3.085
500 +RMB2.992

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
826-9238P
制造商零件编号:
BSP315PH6327XTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.17A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SIPMOS

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

800mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.8W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

-0.97V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.2nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

高度

1.6mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET,最大漏源电压60V,最大功耗1.8W - BSP315PH6327XTSA1


该MOSFET是一款P沟道增强型晶体管,专为汽车和工业领域的表面贴装功率开关应用而设计。该器件在紧凑型组件中提供中等水平的电流处理和电压能力,用于负载切换和防反接保护,适用于需要宽温运行的环境。

特性和优点:


• 60V漏源极额定电压,适用于中压开关应用
• 1.17A 连续漏极电流,支持小信号功率传输
• 最大导通电阻800mΩ,降低了导通损耗
• 典型栅极电荷为5.2nC,可实现高效栅极驱动
• 1.8W功耗,支持持续低功耗运行
• AEC‑Q101认证,能够耐受汽车级应力

应用


• 适用于车辆的电池管理负载切换
• 适用于汽车电子领域的反向极性保护
• 配合低功率DCDC转换器使用,用于高边开关操作
• 可用于远程通信模块的负载断开
• 适用于需要表面贴装的紧凑型电源控制板

其能在什么温度范围内运行?


其指定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C,可适应高温环境。

它采用哪种封装和安装方式?


该器件采用SOT-223封装,适用于表面安装。

有多少个引脚可用于电路连接?


它提供四个引脚以适配源极、漏极、栅极以及安装/接触布局。

使用过程中应遵守的最大栅极电压是多少?


栅极源电压不得超过 20V,以避免设备压力。

相关链接