Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=1.17 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 826-9238P
- 制造商零件编号:
- BSP315PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | -0.97V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.17A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SIPMOS | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.8W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf -0.97V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.5mm | ||
宽度 3.5mm | ||
高度 1.6mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS系列MOSFET,最大漏源电压60V,最大功耗1.8W - BSP315PH6327XTSA1
该MOSFET是一款P沟道增强型晶体管,专为汽车和工业领域的表面贴装功率开关应用而设计。该器件在紧凑型组件中提供中等水平的电流处理和电压能力,用于负载切换和防反接保护,适用于需要宽温运行的环境。
特性和优点:
• 60V漏源极额定电压,适用于中压开关应用
• 1.17A 连续漏极电流,支持小信号功率传输
• 最大导通电阻800mΩ,降低了导通损耗
• 典型栅极电荷为5.2nC,可实现高效栅极驱动
• 1.8W功耗,支持持续低功耗运行
• AEC‑Q101认证,能够耐受汽车级应力
• 1.17A 连续漏极电流,支持小信号功率传输
• 最大导通电阻800mΩ,降低了导通损耗
• 典型栅极电荷为5.2nC,可实现高效栅极驱动
• 1.8W功耗,支持持续低功耗运行
• AEC‑Q101认证,能够耐受汽车级应力
应用
• 适用于车辆的电池管理负载切换
• 适用于汽车电子领域的反向极性保护
• 配合低功率DCDC转换器使用,用于高边开关操作
• 可用于远程通信模块的负载断开
• 适用于需要表面贴装的紧凑型电源控制板
• 适用于汽车电子领域的反向极性保护
• 配合低功率DCDC转换器使用,用于高边开关操作
• 可用于远程通信模块的负载断开
• 适用于需要表面贴装的紧凑型电源控制板
其能在什么温度范围内运行?
其指定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C,可适应高温环境。
它采用哪种封装和安装方式?
该器件采用SOT-223封装,适用于表面安装。
有多少个引脚可用于电路连接?
它提供四个引脚以适配源极、漏极、栅极以及安装/接触布局。
使用过程中应遵守的最大栅极电压是多少?
栅极源电压不得超过 20V,以避免设备压力。
