Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=400 V, Id=170 mA, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 826-9257P
制造商零件编号:: BSP324H6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=400 V, Id=170 mA, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

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RS 库存编号:: 826-9257P
制造商零件编号:: BSP324H6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	170mA
	最大漏源电压 Vd	400V
	包装类型	SOT-223
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	25Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	1.8W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.54nC
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.5mm
	高度	1.6mm
	宽度	3.5mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 170mA
	最大漏源电压 Vd 400V
	包装类型 SOT-223
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 25Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 1.8W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.54nC
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.5mm
	高度 1.6mm
	宽度 3.5mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET，最大漏源电压400V，最大功耗1.8W - BSP324H6327XTSA1

该MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为严苛环境中的表面贴装功率开关应用而设计。它可用作开关或控制元件，适用于需要能够处理高漏源电压并通过汽车级认证的增强型器件的电路。该器件采用紧凑型 SOT-223 封装，适用于需要兼顾热性能和电气性能的板载应用。

特性和优点：

• 400V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 25Ω 最大导通电阻，可降低低电流电路中的导通损耗
• 170mA 连续漏极电流，支持小信号功率任务
• 1.8W最大功耗，可应对中等热负载
• 4.54nC典型栅极电荷可实现更快的栅极转换，同时降低驱动能耗
• 0.8V 正向电压可提高二极管在开关事件中的降压效率

应用

• 适用于汽车电子领域的辅助电路
• 适用于电源缓冲器网络中的高压控制
• 与栅极驱动器配合使用，用于小电流开关级应用
• 可用于传感模块的负载保护
• 适用于紧凑型电源设计的表面贴装组件

它能在什么温度范围内运行？

它可在 -55°C 至 150°C 的宽环境范围内工作，适用于温度变化较大的安装环境。

提供多少个引脚？采用哪种安装方式？

该器件配有四个引脚，适用于印刷电路板的表面贴装。

设计过程必须遵守哪些栅极电压限制？

栅极驱动必须保持在±20V以内，以避免超过最大栅源额定值。

设计人员应预期采用何种封装尺寸和外部规格？

该晶体管采用 SOT-223 封装，总尺寸为 6.5 x 3.5 x 1.6mm，适用于 PCB 布局规划。