Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=120 mA, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 826-9276
Distrelec 货号:: 304-44-411
制造商零件编号:: BSP125H6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=120 mA, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

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RS 库存编号:: 826-9276
Distrelec 货号:: 304-44-411
制造商零件编号:: BSP125H6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	120mA
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	SOT-223
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	45Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最大功耗 Pd	1.8W
	正向电压 Vf	0.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.4nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.5mm
	长度	6.5mm
	标准/认证	No
	高度	1.5mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 120mA
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 SOT-223
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 45Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最大功耗 Pd 1.8W
	正向电压 Vf 0.8V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.4nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.5mm
	长度 6.5mm
	标准/认证 No
	高度 1.5mm
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET，600V最大漏源电压，120mA最大连续漏极电流 - BSP125H6327XTSA1

该MOSFET是一款高压N沟道开关器件，专为严苛环境中的表面贴装功率应用而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于需要高漏‑源‑阻断能力和受控开关行为的电路。该封装支持自动化 PCB 组装，适用于运输和工业环境中的电子系统。

特性和优点：

• 600V 漏‑源额定值，可实现高压开关能力
• 45Ω最大导通电阻，可降低关断状态下的漏电流
• 4.4nC典型栅极电荷，可实现更快的栅极转换
• 120mA 连续漏极电流，适用于低电流功率级应用
• 0.8V 正向电压可最大限度减少二极管路径中的导电压降
• 1.8W 最大耗散，支持中等功率处理

应用

• 适用于汽车高压辅助电路
• 适用于电源的输入级开关
• 与需要隔离的工业传感器接口配合使用
• 可用于小型电机驱动器保护元件
• 适用于电池管理和充电子系统

电路板组装需要哪种安装方式？

它采用表面贴装 SOT-223 型封装，适用于焊接 PCB 连接和回流焊工艺。

它在极端温度条件下的表现如何？

该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，在整个温度跨度内均能保持开关功能并符合规定的限值。

设计人员应遵守哪些栅极电压限制？

最大栅‑源‑电压为 20V，因此，驱动电路不得超过此振幅以避免损坏。

脉冲电流与连续电流之间是否存在限制？

指定的连续漏极电流能力为120mA

更高的瞬态电流需要进行热特性及安全‑工作‑区评估。