Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 826-9279P
制造商零件编号:: BSP322PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 250 件 (以卷装提供)*

RMB768.75

(不含税)

RMB868.75

700 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
250 - 450	RMB3.075
500 +	RMB2.982

* 参考价格

RS 库存编号:: 826-9279P
制造商零件编号:: BSP322PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SOT-223
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	800mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	1.8W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	0.84V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12.4nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.5mm
	长度	6.5mm
	标准/认证	No
	高度	1.6mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SOT-223
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 800mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 1.8W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 0.84V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.4nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.5mm
	长度 6.5mm
	标准/认证 No
	高度 1.6mm
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET，最大漏源电压100V，最大功耗1.8W - BSP322PH6327XTSA1

该MOSFET是一款P沟道增强型器件，专为严苛环境中的表面贴装功率开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要紧凑封装形式和汽车级可靠性的高压P沟道开关任务。

特性和优点：

• 100V漏极额定值可实现高压开关能力
• 800mΩ的导通电阻（Rds(on)）可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 1A 连续漏极电流，支持低至中等电流
• 1.8W 最大耗散，可实现稳定的功率处理
• 12.4nC典型栅极电荷带来可预测的栅极驱动需求
• 20V最大栅源电压保持安全的驱动裕量

应用

• 适用于汽车电子模块的负载开关
• 适用于高压极性保护电路
• 用于电池供电系统的电源管理
• 可用于防止DC导轨中出现反向电流
• 适用于紧凑型表面贴装电源转换级应用

它在野外能耐受的温度范围是多少？

其规定工作温度范围为-55°C至150°C，因此适用于恶劣的热环境。

设计人员应预期多少个引脚以及哪种安装方式？

该器件具有四个引脚，专为表面贴装组装而设计，采用 SOT-223 封装。

哪些电气特性决定了开关速度要求？

12.4nC栅极电荷表示栅极所需的电荷量，并为栅极驱动器和驱动时序的选择提供依据。

在布局规划中，哪些机械外壳尺寸至关重要？

该元件的尺寸为 6.5 x 3.5 x 1.6mm，有助于满足占位面积和间距方面的考量。