Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=240 V, Id=110 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS系列

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RS 库存编号:
827-0070
Distrelec 货号:
304-44-424
制造商零件编号:
BSS131H6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

110mA

最大漏源电压 Vd

240V

包装类型

SOT-23

系列

SIPMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

20Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

810mV

最大功耗 Pd

360mW

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.1nC

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

2.9mm

标准/认证

No

宽度

1.3mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET，240V最大漏源电压，110mA最大连续漏极电流 - BSS131H6327XTSA1


该MOSFET是一款高压N沟道增强型晶体管，专为紧凑型电子设备的表面贴装功率开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，专为需要受控漏源导通且具备适度连续电流承载能力的应用而设计。

特性和优点：


• 240V 漏源额定值可实现高压开关
• 110 mA 连续漏极电流能力，支持小电流负载
• 20V栅源极限制，可防止过度的栅极应力
• 20Ω 最大导通电阻，可简化低电流时的热管理
• 2.1nC典型栅极电荷，可降低驱动能量需求
• 360mW功耗，可满足小尺寸设计的散热预算要求

应用


• 适用于汽车传感器电源开关
• 适用于电池管理控制电路
• 用于低电流电机驱动器栅极级应用
• 可用于电平转换和保护功能
• 用于手持式和便携式仪器

它在PCB组装中使用哪种封装和贴装方式？


它采用SOT-23封装，配置为表面贴装，适用于自动化焊接工艺。

它在运行过程中能承受哪种极端环境？


该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可适应大幅温度变化。

对于空间受限的设计，该器件的紧凑性如何？


封装的占位尺寸为长 2.9mm、宽 1.3mm，高度为 1.0mm，适用于布局紧凑的应用。

它是否符合任何用于车辆的汽车级认证标准？


它符合AEC‑Q101汽车级半导体应力筛选标准。

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