Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=240 V, 110 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 827-0070
- 制造商零件编号:
- BSS131H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 250 - 750 | RMB0.492 | RMB123.00 |
| 1000 - 2750 | RMB0.482 | RMB120.50 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0070
- 制造商零件编号:
- BSS131H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 240V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 360mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.81V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-424 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 110mA | ||
最大漏源电压 Vd 240V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.1nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 360mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.81V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.3 mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-424 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。