Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=240 V, 260 mA, SOT-89, 贴片安装, 3引脚, SIPMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
827-0074
制造商零件编号:
BSS87H6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

260 mA

最大漏源电压

240 V

封装类型

SOT-89

系列

SIPMOS

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

7.5 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.8V

最小栅阈值电压

0.8V

最大功率耗散

1 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

2.5mm

最高工作温度

+150 °C

长度

4.5mm

典型栅极电荷@Vgs

3.7 nC @ 10 V

高度

1.5mm

最低工作温度

-55 °C

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。