Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=950 mA, 6针, SC-88, OptiMOS 2系列

RS 库存编号:: 827-0115
制造商零件编号:: BSD235NH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=950 mA, 6针, SC-88, OptiMOS 2系列

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RS 库存编号:: 827-0115
制造商零件编号:: BSD235NH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	950mA
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	OptiMOS 2
	包装类型	SC-88
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	600mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	500mW
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-12V, +12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.32nC
	正向电压 Vf	0.9V
	晶体管配置	隔离式
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	1.25mm
	长度	2mm
	高度	0.8mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 950mA
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 OptiMOS 2
	包装类型 SC-88
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 600mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 500mW
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -12V, +12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.32nC
	正向电压 Vf 0.9V
	晶体管配置隔离式
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 1.25mm
	长度 2mm
	高度 0.8mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2系列MOSFET，最大漏源电压20V，最大漏源电阻 600mΩ - BSD235NH6327XTSA1

该MOSFET是一款紧凑型表面贴装N沟道晶体管，专为汽车和工业环境中的开关及电源管理任务而设计。它作为增强型器件工作，采用隔离晶体管结构，适用于需要低栅极电荷开关以及在高温条件下具有热耐久性的应用。

特性和优点：

• 20V最大漏极电压，可实现安全低压开关
• 600mΩ导通电阻，可降低运行期间的导通损耗
• 0.32nC典型栅极电荷，提供快速、低驱动能量的切换
• 950mA连续漏极电流，支持中等负载电流
• 500mW功耗，可在负载条件下持续运行
• AEC‑Q101 认证，适用于汽车电子测试

应用

• 适用于汽车模块的电源轨切换
• 适用于主体控制装置的负载切换
• 用于栅极驱动器和次级侧电源级应用
• 可用于普适 SMD 设计的紧凑型电源管理
• 适用于传感器接口的双通道切换

应遵守哪些栅极驱动限制以确保安全操作？

该器件最大可承受高达12V栅源电压

确保驱动电路保持在此限值内以避免栅氧化层应力。

温度范围对于设计布局有何影响？

它的工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，可布置在发热‑元件附近，但仍需考虑PCB覆铜面积和气流以管理500 mW功耗。

管芯上提供了多少个分立元件？

该芯片包含两个元件，适用于需要在单个封装内使用成对开关通道的场合。

哪些物理封装限制会影响PCB布局？

该元件采用六针SC-88封装，因此在规划焊盘布局时，必须考虑到这种小型 SMD 引脚排列以及形成焊角所需的间隙。