DiodesZetex , 2 N型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 9.3 A, UDFN, 表面安装, 7引脚, DMN2014LHAB-7

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制造商零件编号:
DMN2014LHAB-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

9.3A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

UDFN

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

150°C

最大功耗 Pd

1.7W

最大栅源电压 Vgs

12 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.5nC

正向电压 Vf

1.2V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

-55°C

高度

0.6mm

宽度

2.05 mm

标准/认证

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

长度

3.05mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.