DiodesZetex N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=4.1 A, 8针, SOIC

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包装方式：
RS 库存编号:
827-0493
制造商零件编号:
DMN6070SSD-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.1A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.6nC

正向电压 Vf

0.75V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

+150°C

长度

4.95mm

高度

1.5mm

宽度

3.95mm

标准/认证

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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