DiodesZetex , 2 N型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 4.1 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, DMN6070SSD-13

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827-0493
制造商零件编号:
DMN6070SSD-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

4.1A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.75V

最大功耗 Pd

1.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.6nC

最低工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

-55°C

宽度

3.95 mm

标准/认证

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

高度

1.5mm

长度

4.95mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.