Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 18 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, IRF7842TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 827-3899
- 制造商零件编号:
- IRF7842TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 827-3899
- 制造商零件编号:
- IRF7842TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，2.5W 最大功率耗散 - IRF7842TRPBF
这款 MOSFET 可在各种电子应用中实现高性能。它的规格包括 18A 连续漏极电流和 40V 的最大漏极-源极电压，可提高电子设备的电源效率。该设备采用表面贴装技术设计，经久耐用，适合电子和自动化领域的专业人士使用。
特点和优势
• 4.5V 时的低 Rds(on) 提高了效率
• 大电流处理优化了功率输出
• 最小的栅极电荷可降低开关损耗
• 雪崩等级可提高可靠性
• N 沟道配置支持控制应用中的高效性能
应用
• 用于笔记本处理器电源的同步 MOSFET 电路中
• 在隔离式直流-直流转换器中起到次级同步整流的作用
• 非隔离式 DC-DC 转换器设计中的功能
该设备的最高工作温度是多少？
它能在高达 +150°C 的温度下高效运行，确保了在高温环境下的可靠性。
该元件在运行时如何处理电流？
该器件支持 18A 连续漏极电流，适合各种应用。
它能用于高压电路吗？
是的，漏极-源极最大额定电压为 40V，为高压应用提供了灵活性。
热阻特性如何？
从结点到环境的热阻通常约为 50-55°C/W，有利于有效散热。
这种 MOSFET 是否与表面贴装技术兼容？
是的，它采用专为表面贴装设计的 SOIC 封装，更易于集成到电路设计中。