Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 43 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
827-3944P
制造商零件编号:
IRFB38N20DPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

43 A

最大漏源电压

200 V

封装类型

TO-220AB

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

54 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

300 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

4.83mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

60 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

长度

10.67mm

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

16.51mm

正向二极管电压

1.5V

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，43A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IRFB38N20DPBF


这款 MOSFET 专为在各种应用中实现高效率和有效的热管理而设计。其稳健的增强模式 N 沟道设计可实现相当大的连续漏极电流，同时确保较低的导通电阻。该元件非常适合电源管理解决方案，可在多种电子环境中提高性能和可靠性。

特点和优势


• 支持 43A 的最大连续漏极电流
• 提供 54mΩ 的低 Rds(on)，最大限度地减少能量损失
• 可承受高达 200V 的漏极-源极电压
• 工作温度公差大，范围从 -55°C 至 +175°C
• 专为高速开关应用和低栅极电荷而设计
• 可有效集成到直流-直流转换器和电源中

应用


• 用于高频直流-直流转换器，实现高效电源管理
• 适用于 等离子显示面板中
• 应用于需要持续开关的工业自动化系统中
• 用于热效率要求极高的电源中
• 适用于需要在高温条件下实现高性能的电子设计

它在高温应用中能承受多大的电流？


它能在 100°C 温度下管理高达 30A 的连续漏极电流，确保在高温条件下保持稳定的性能。

该元件在高频应用中的性能如何？


它专为高速开关而设计，具有低栅极电荷和最小延迟时间的特点，因此非常适合此类应用。

该产品有哪些包装选项？


它采用 TO-220AB 封装，便于通孔安装，易于集成到电子电路中。

能否与其他电源管理设备一起使用？


是的，它经常与各种直流-直流转换器一起使用，以提高输电系统的效率。

安装时应采取哪些措施？


确保适当的热管理（包括散热片）到位，以在运行期间保持最佳结温。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。