Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 72 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFI4110GPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 827-3962
制造商零件编号:: IRFI4110GPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 72 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFI4110GPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRFI4110GPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	72A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4.5mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	190nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	61W
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	10.75mm
	高度	16.13mm
	宽度	4.83 mm
	汽车标准	否
	Distrelec Product Id	304-44-457

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 72A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4.5mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 190nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 61W
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 10.75mm
	高度 16.13mm
	宽度 4.83 mm
	汽车标准否
	Distrelec Product Id 304-44-457

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，72A 最大连续漏极电流，61W 最大功率耗散 - IRFI4110GPBF

这款 n 沟道 MOSFET 专为高性能应用而设计，具有高效的电流处理能力和较高的耐压能力。它在各种电子设备中至关重要，可确保在具有挑战性的环境中稳健运行。它在功率开关和热管理方面的性能使其成为自动化、电子和机械领域的首选元件。

特点和优势

• 连续漏极电流能力为 72A

• 低 Rds（导通）电阻，提高运行效率

• 有效性能的增强模式

• 最大漏极-源极额定电压为 100V

• 卓越的热管理性能，最高可达 +175°C

• 改进雪崩坚固性，提高可靠性

应用

• 适用于高效同步整流

• 不间断电源系统的理想选择

• 与高速电源开关兼容

• 用于硬开关和高频电路

在您的应用中，最大持续漏极电流是多少？

在最佳条件下，连续漏极电流额定值为 72A，适合要求苛刻的应用。

栅极阈值电压有何意义？

栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，可实现对开关特性的精确控制。

MOSFET 如何管理热性能？

它的最高工作温度额定值为 +175°C ，可在高温环境中经久耐用。

低 Rds(on) 在设备性能方面有哪些优势？

低 Rds(on) 降低了开关过程中的功率损耗，从而提高了整体效率。

该产品能否处理高频电路？

是的，它专为硬开关和高频应用而设计，可确保性能稳定。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 72 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFI4110GPBF, HEXFET系列