Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP250MPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
827-4004
制造商零件编号:
IRFP250MPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

HEXFET

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

123nC

最大功耗 Pd

214W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

宽度

5.2 mm

长度

16.13mm

标准/认证

No

高度

21.1mm

Distrelec Product Id

304-36-390

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，214W 最大功率耗散 - IRFP250MPBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为在各种应用中实现高性能和高效率而设计。它的最大连续漏极电流为 30A，漏极-源极额定电压为 200V，因此适用于自动化和电子领域的任务。其设计确保了有效的热性能，从而提高了其在电气和机械行业中的应用。

特点和优势


• 动态 dv/dt 额定值确保运行期间的稳定性

• 散热能力更强，工作温度最高可达 175°C

• 低导通电阻可减少功率损耗

• 完全符合雪崩等级，提供过压保护

• 驱动器要求简单，更易于集成到设计中

应用


• 适用于高频开关

• 电源和转换器的理想选择

• 适用于电机控制系统和工业驱动装置

• 用于可再生能源系统，如太阳能逆变器

如何在苛刻的环境中管理热性能？


热阻特性设计用于高效散热，允许在 -55°C 至 +175°C 温度范围内运行。

低 Rds(on) 有什么影响？


低导通电阻降低了传导过程中的功率耗散，从而提高了系统的整体效率，并减少了对元件的热应力。

该设备可用于并行配置吗？


是的，这种设计有利于并联，在大功率应用中提高电流容量并改善散热性能。

选择栅极驱动电压时应考虑哪些因素？


栅极驱动电压在 2V 至 4V 之间最为理想，既能确保足够的开关性能，又能防止意外运行。

有哪些过电压保护措施？


MOSFET 具有完全雪崩等级，可防止瞬态过压，确保在波动条件下可靠运行。