Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 827-4004P
- 制造商零件编号:
- IRFP250MPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 123nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 宽度 | 5.2 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-390 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 123nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 21.1mm | ||
宽度 5.2 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.13mm | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-36-390 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，214W 最大功率耗散 - IRFP250MPBF
这款 N 沟道 MOSFET 专为在各种应用中实现高性能和高效率而设计。它的最大连续漏极电流为 30A，漏极-源极额定电压为 200V，因此适用于自动化和电子领域的任务。其设计确保了有效的热性能，从而提高了其在电气和机械行业中的应用。
特点和优势
• 动态 dv/dt 额定值确保运行期间的稳定性
• 散热能力更强，工作温度最高可达 175°C
• 低导通电阻可减少功率损耗
• 完全符合雪崩等级，提供过压保护
• 驱动器要求简单，更易于集成到设计中
应用
• 适用于高频开关
• 电源和转换器的理想选择
• 适用于电机控制系统和工业驱动装置
• 用于可再生能源系统，如太阳能逆变器
如何在苛刻的环境中管理热性能？
热阻特性设计用于高效散热，允许在 -55°C 至 +175°C 温度范围内运行。
低 Rds(on) 有什么影响？
低导通电阻降低了传导过程中的功率耗散，从而提高了系统的整体效率，并减少了对元件的热应力。
该设备可用于并行配置吗？
是的，这种设计有利于并联，在大功率应用中提高电流容量并改善散热性能。
选择栅极驱动电压时应考虑哪些因素？
栅极驱动电压在 2V 至 4V 之间最为理想，既能确保足够的开关性能，又能防止意外运行。
有哪些过电压保护措施？
MOSFET 具有完全雪崩等级，可防止瞬态过压，确保在波动条件下可靠运行。