Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 44 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR1205TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 827-4026
- 制造商零件编号:
- IRFR1205TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRFR1205TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 44A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 107W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-461 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 44A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 107W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.39mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-461 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，44A 最大连续漏极电流，107W 最大功率耗散 - IRFR1205TRPBF
这款高性能 N 沟道 MOSFET 专为各种应用中的高效电源管理而设计。它的最大连续漏极电流为 44A，最大漏极-源极电压为 55V，适合电子和自动化领域的专业人士使用。增强模式配置可提高开关效率，从而改善电路性能。
特点和优势
• 低漏极-源极电阻可将功率损耗降至最低
• 处理功率耗散高达 107W
• 最高工作温度高达 175°C，适用范围更广
• 优化栅极电荷，提高开关效率
• 表面贴装设计简化了与紧凑型电路的集成
• 无铅结构符合当代环保标准
应用
• 用于功率转换器以提高效率
• 应用于电机控制电路，实现精确功能
• 开关稳压器管理电压的理想选择
• 适用于可再生能源系统
• 适用于小型便携式电子设备
该模型中低导通电阻的意义何在？
低导通电阻降低了工作时的发热量，提高了大电流应用的效率和可靠性。
增强模式配置对电路设计有何益处？
增强模式可更好地控制开关特性，确保在各种电子应用中平稳运行并实现最佳性能。
该组件能否在极端温度下工作？
是的，它的额定使用环境温度为 -55°C 至 +175°C，适合各种工业应用。
栅极-源极电压限制的电气影响是什么？
栅极-源极电压限制可确保安全运行并防止损坏，从而在不牺牲可靠性的前提下实现设计灵活性。
使用该组件时如何实现有效散热？
安装足够的散热片或通风装置有助于有效散热，确保长时间运行时性能稳定。