Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR5305TRPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 827-4060
制造商零件编号:: IRFR5305TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR5305TRPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRFR5305TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	31A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-252
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	65mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	110W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最高工作温度	175°C
	高度	2.39mm
	宽度	6.22 mm
	标准/认证	No
	长度	6.73mm
	Distrelec Product Id	304-44-464
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 31A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-252
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 65mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 110W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最高工作温度 175°C
	高度 2.39mm
	宽度 6.22 mm
	标准/认证 No
	长度 6.73mm
	Distrelec Product Id 304-44-464
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，31A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRFR5305TRPBF

这款 MOSFET 性能先进，适用于各种电子应用。其低导通电阻和高电流处理能力有助于实现有效的电源管理。该元件设计坚固，电气性能可靠，适用于自动化和电子系统中的各种环境。

特点和优势

• 实现低导通电阻，提高效率

• 支持最大 31A 的连续漏极电流

• 设计便于在表面贴装应用中使用

• 可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内工作

• 切换速度快，性能更高

• 最大功率耗散可达 110 瓦，适用于各种应用

应用

• 用于电源管理系统

• 适用于电机控制

• 用于电子设备的开关电源

• 用于汽车电路以提高效率

建议采用哪些焊接技术进行安装？

使用气相焊接、红外线焊接或波峰焊接技术可获得最佳效果，确保元件受到的热应力最小。

它能应对高温环境吗？

是的，它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，因此适用于极端条件。

低 RDS(on) 有什么意义？

低 RDS(on) 降低了功率损耗，提高了整体效率，减少了运行过程中的发热量。

如何确保切换行为准确无误？

按照建议的触发电压，实施合适的栅极驱动电路，以实现精确的导通和关断特性。

这与标准 PCB 布局兼容吗？

是的，它采用 DPAK 封装设计，可直接集成到典型的 PCB 设计中，无需进行特殊修改。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR5305TRPBF, HEXFET系列